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失效分析主要步骤和内容

失效分析主要步骤和内容:

1,芯片开封也成开帽,开盖decap去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 ** ,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。

2, SEM 扫描电镜/EDX成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。

3, 探针测试:以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。

4,EMMI侦测:EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光),由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。

5,OBIRCH应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等,也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。

6,X-Ray 无损侦测:检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。

7、SAM (SAT)超声波探伤可对IC 封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:晶元面脱层, 锡球、晶元或填胶中的裂缝, 封装材料内部的气孔,各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞等。

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